[发明专利]一种BMN薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 201510834266.0 | 申请日： | 2015-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN105420672A | 公开（公告）日： | 2016-03-23 |
| 发明（设计）人： | 高虹 | 申请（专利权）人： | 盐城工学院 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/35 |
| 代理公司： | 北京国坤专利代理事务所(普通合伙) 11491 | 代理人： | 姜彦 |
| 地址： | 224051 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种BMN薄膜的制备方法，包括将预处理的衬底固定在基板支架上，打开分子泵对溅射腔室进行抽真空；到达本底真空度后，向溅射腔室内通入氩气，加高压对基片进行清洗；关闭高压，打开基片旋转电机，调节基片转速为30rpm；当衬底温度达到温度后，先关闭靶材档板，调节射频功率；通入高纯氧气，调节流量计，设定Ar/O2体积比，并使腔室气压达到溅射气压4.0Pa；调节基片电压为80-150V，打开档板，开始镀膜；经过700℃氧气氛下退火30min得到晶化薄膜。本发明BMN薄膜择优取向趋势强，表面粗糙度为3.53nm；薄膜的介电常数最大，介电损耗最低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 bmn 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种BMN薄膜的制备方法，其特征在于，该BMN薄膜的制备方法包括：在阴极靶位置上安装BMN陶瓷靶材，将预处理的衬底固定在基板支架上，打开分子泵对溅射腔室进行抽真空；到达本底真空度后，向溅射腔室内通入高纯的氩气，调节流量计使气压，加高压对基片再次进行清洗；关闭高压，打开基片旋转电机，调节基片转速为30rpm；衬底温度升高，关闭靶材档板，调节射频功率，预溅射3‑5min；通入高纯氧气，调节流量计，设定Ar/O2体积比，并使腔室气压达到实验的溅射气压4.0Pa；调节基片电压为80‑150V，打开档板，开始镀膜；经过700℃氧气氛下退火30min得到晶化薄膜。
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