[发明专利]一种抗噪声SOI晶体管光电流测试系统设计在审
| 申请号： | 201510836301.2 | 申请日： | 2015-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN105388353A | 公开（公告）日： | 2016-03-09 |
| 发明（设计）人： | 解磊;代刚;李顺;梁堃;孙鹏;刘鑫 | 申请（专利权）人： | 中国工程物理研究院电子工程研究所 |
| 主分类号： | G01R19/00 | 分类号： | G01R19/00 |
| 代理公司： | 成都天嘉专利事务所(普通合伙) 51211 | 代理人： | 蒋斯琪 |
| 地址： | 621900 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种抗噪声SOI晶体管光电流测试系统设计，该测试系统设计包括SOI晶体管结构测试单元和至少两个噪声测试电阻，噪声测试电阻与SOI晶体管结构测试单元串联，SOI晶体管结构测试单元的两端至少有一个噪声测试电阻；本发明利用大规模并联SOI晶体管方式，放大辐射效应下产生的光电流，通过对称放置的电阻导线同步测量实验室的电磁及环境噪声；通过增加可测光电流和对实验室电磁及环境噪声的提取，可通过测得的光电流推导出单个SOI晶体管的辐射效应光电流，研究晶体管的辐射效应；为研究半导体辐射效应、有针对性的进行设计提供有效手段。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 噪声 soi 晶体管 电流 测试 系统 设计 | ||
【主权项】：
一种抗噪声SOI晶体管光电流测试系统设计，其特征在于：包括SOI晶体管结构测试单元和至少两个噪声测试电阻，噪声测试电阻与SOI晶体管结构测试单元串联，SOI晶体管结构测试单元的两端至少有一个噪声测试电阻；该测试系统设计的测试过程为：在辐射条件下，光电流流过SOI晶体管结构测试单元的晶体管漏极端口，通过与SOI晶体管结构测试单元串联的噪声测试电阻测试得到两端电势差，然后将电势差除以噪声测试电阻的电阻值，得到在环境噪声干扰下总的光电流，然后在数据处理过程中去掉噪声测试电阻导线上测得的环境噪声，则得到SOI晶体管结构测试单元中产生的总的光电流，通过除以SOI晶体管结构测试单元中的晶体管个数得到单个晶体管的光电流。
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