[发明专利]双沟道FinFET器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201510844310.6 | 申请日： | 2015-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN106803517B | 公开（公告）日： | 2019-12-20 |
| 发明（设计）人： | 肖德元;张汝京 | 申请（专利权）人： | 上海新昇半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L21/336;H01L23/31;H01L21/56 |
| 代理公司： | 31237 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 金华 |
| 地址： | 201306 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种双沟道FinFET器件及其制造方法，石墨烯与基片之间具有良好的界面性质，当对石墨烯进行单侧氟化后所得到的氟化石墨烯不仅具有高的致密性与结构强度，而且可以从金属性半导体转变为二维绝缘材料，因此将氟化石墨烯作为界面钝化层应用于FET器件中。由于氟化石墨烯能够有效抑制界面互扩散行为，尤其是抑制氧原子向基片的扩散，避免不稳定氧化物以及界面缺陷所导致的电荷陷阱的形成，使器件性能得到很大提升，栅极漏电流能够大幅度降低。 | ||
| 搜索关键词： | 沟道 finfet 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种双沟道FinFET器件，其特征在于，包括：基片、第一沟道、源漏区、第一钝化层、第二沟道、第二钝化层及栅极结构，其中，所述第一沟道及源漏区均形成在所述基片内，所述源漏区分别位于所述第一沟道的两端，所述第一钝化层、第二沟道、第二钝化层及栅极结构依次形成在所述第一沟道及源漏区上，所述第一钝化层和第二钝化层为氟化石墨烯，第二沟道为石墨烯。/n
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