[发明专利]一种低熔点合金及使用低熔点合金制作的热界面材料在审
| 申请号： | 201510844612.3 | 申请日： | 2015-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN105483486A | 公开（公告）日： | 2016-04-13 |
| 发明（设计）人： | 丁幸强 | 申请（专利权）人： | 苏州天脉导热科技有限公司 |
| 主分类号： | C22C28/00 | 分类号： | C22C28/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及热界面材料领域。本发明提供了一种低熔点合金，该合金成分包括In、Bi、Sn、Ga，所述In、Bi、Sn的质量百分比为51∶32.5∶16.5，所述Ga的质量占总质量的质量百分比为0.5％～3％。一种使用低熔点合金制作的热界面材料，该热界面材料包括一高导热金属片，所述高导热金属片的表面设有低熔点合金覆层。本发明结合了低温相变合金和高导热金属片得到新的热界面材料，该热界面材料显示热阻抗低至5.8×10-6m2K/W(被覆于50μm铜片)的优异性能；本发明通过使用含镓低熔点合金，导热片可在40～60℃的工作温度下完全发挥作用，比目前现有的相变金属热片的要求温度低，拓展了相变金属材料的使用空间；本发明热界面材料不含铅、镉等有害元素，有利于电子产品绿色发展。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 熔点 合金 使用 制作 界面 材料 | ||
【主权项】：
一种低熔点合金，该合金成分包括In、Bi、Sn、Ga，其特征在于：所述In、Bi、Sn的质量百分比为51∶32.5∶16.5，所述Ga的质量占总质量的质量百分比为0.5％～3％。
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