[发明专利]具有外延结构的半导体元件及其制作方法

摘要

本发明公开一种具有外延结构的半导体元件及其制作方法，该具有外延结构的半导体元件包含有一基底、一栅极结构、一间隙壁、以及多个复Σ形外延应力件。该基底包含有一第一半导体材料，该等复Σ形外延应力件分别包含该第一半导体材料与一第二半导体材料，该第二半导体材料的晶格系数不同于该第一半导体材料的晶格系数。该等复Σ形外延应力件分别还包含一第一部分、一第二部分、与一实体连接该第一部分与该第二部分的颈部，该第一部分与该第二部分分别包含有一对第一尖角与一对第二尖角，且该等尖角在一剖面视角中指向该栅极结构。该颈部包含有一第一斜面与一第二斜面。

主权项

一种具有外延结构的半导体元件的制作方法，包含有：提供一基底，该基底上形成有多个栅极结构，且该多个栅极结构的侧壁分别形成有一间隙壁；进行一第一蚀刻制作工艺，用以于该些间隙壁两侧分别形成一第一凹槽；在该第一蚀刻制作工艺之后对该些第一凹槽进行一离子注入制作工艺；在该离子注入制作工艺之后进行一第二蚀刻制作工艺，用以拓宽该些第一凹槽并分别形成一加宽后第一凹槽，以及于该些加宽后第一凹槽的底部分别形成一第二凹槽；以及在该些加宽后第一凹槽与该些第二凹槽内形成一外延结构。