[发明专利]一种低碳低熔点硅氮合金生产方法有效
| 申请号： | 201510845421.9 | 申请日： | 2015-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN105463230B | 公开（公告）日： | 2017-05-17 |
| 发明（设计）人： | 王安仁;郑志方;杨树峰 | 申请（专利权）人： | 北京科技大学 |
| 主分类号： | C22C1/10 | 分类号： | C22C1/10;C22C28/00;C21C7/00 |
| 代理公司： | 北京市广友专利事务所有限责任公司11237 | 代理人： | 张仲波 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种硅氮合金的生产方法，属于铁合金生产领域。其特征在于硅氮合金成分含量为C≤0.5％,Si35～50％,N20～30％,Fe10～20％，Mn2～10％,Ca3～8％,制备时将高碳硅铁配加少量氧化剂以脱碳，加入适量融合剂以降低熔点，并置于氮气气氛下加热氮化，获得碳含量小于0.5％，熔点低于1500℃的硅氮合金。本发明在氮化硅铁的同时，还降低了合金中原有的碳含量以及氮化后的合金熔点，因此用于炼钢增氮时，不会造成钢液增碳，且有利于提高增氮效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低碳低 熔点 合金 生产 方法 | ||
【主权项】：
一种低碳低熔点硅氮合金生产方法，其特征在于硅氮合金成分含量为C≤0.5%,Si35～50%,N20～30%,Fe10～20%，Mn2～10%,Ca3～8%,制备时将高碳硅铁配加少量氧化剂以脱碳，加入适量融合剂以降低熔点，并置于氮气气氛下加热氮化，获得碳含量小于0.5%，熔点低于1500℃的硅氮合金。
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