[发明专利]包括异质结的半导体器件、电子器件及其接触结构有效
| 申请号： | 201510845580.9 | 申请日： | 2015-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN105633165B | 公开（公告）日： | 2020-08-04 |
| 发明（设计）人： | 乔治·A·凯特尔;伯纳·乔司·奥勃特道威;罗伯特·克里斯图福·博文;马克·S·罗迪尔 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/45 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 张川绪;尹淑梅 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了包括异质结的半导体器件、电子器件及其接触结构。所述半导体器件可以包括金属接触件和沟道区，该沟道区具有在半导体器件的操作(导通状态)期间用于沟道区中的多数载流子的第一半导体材料。源/漏区可以包括包含第二半导体材料的半导体材料合金以及位于金属接触件和沟道区之间的至少一个异质结，其中，异质结形成用于多数载流子的能带边缘偏移，该能带边缘偏移小于或等于约0.2eV。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 异质结 半导体器件 电子器件 及其 接触 结构 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：沟道区，包括在器件的操作期间用于沟道区中的多数载流子的第一半导体材料；金属接触件；源/漏区，包括包含第二半导体材料的半导体材料合金；以及至少一个异质结，位于金属接触件和沟道区之间的源/漏区中，其中，异质结形成用于多数载流子的能带边缘偏移，所述能带边缘偏移小于或等于0.2eV。
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