[发明专利]具有可调整的低击穿电压的齐纳二极管

摘要

本发明涉及具有可调整的低击穿电压的齐纳二极管。提供一种齐纳二极管，包括：具有第一导电类型的阴极区域(CD1)，形成在具有第二导电类型的半导体衬底(SUB)的表面上；具有第二导电类型的阳极区域(AD1)，形成在所述阴极区域之下，所述阴极区域和所述阳极区域通过沟槽隔离(STI1)与衬底的其余部分相隔离；第一导电区域(CDC,EDC,ED1)，被配置为当其经受足够的电压时生成与所述阴极区域和所述阳极区域之间的界面相垂直的第一电场；以及第二导电区域(GT1,GTC)，被配置为当其经受足够的电压时生成与所述阴极区域和阳极区域之间的界面相平行的第二电场。

主权项

一种齐纳二极管，包括：具有第一导电类型的阴极区域(CD1‑CD6)，形成在具有第二导电类型的半导体衬底(SUB，N0)的表面上，具有所述第二导电类型的阳极区域(AD1‑AD6)，形成在所述阴极区域之下，所述阴极区域和所述阳极区域通过沟槽隔离(STI1‑STI8)与衬底的其余部分相隔离，以及第一导电区域(CDC,EDC,ED1‑ED6)，被配置为当其经受足够的电压时生成与所述阴极区域和所述阳极区域之间的界面相垂直的第一电场(Ez)，其特征在于，所述齐纳二极管包括第二导电区域(GT1‑GT6,GTC)，所述第二导电区域被配置为当其经受足够的电压时生成与所述阴极区域(CD1‑CD6)和所述阳极区域(AD1‑AD6)之间的界面相平行的第二电场(Ex)。