[发明专利]超短脉冲激光加工辅助CVI制备陶瓷基复合材料的方法在审
申请号: | 201510846880.9 | 申请日: | 2015-11-27 |
公开(公告)号: | CN105461337A | 公开(公告)日: | 2016-04-06 |
发明(设计)人: | 王晶;刘永胜;张青;成来飞;张立同 | 申请(专利权)人: | 西北工业大学 |
主分类号: | C04B35/80 | 分类号: | C04B35/80;C04B35/565 |
代理公司: | 西北工业大学专利中心 61204 | 代理人: | 王鲜凯 |
地址: | 710072 *** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本发明涉及一种超短脉冲激光加工辅助CVI制备陶瓷基复合材料的方法,步骤如下:将预制体在石墨炉中进行界面层沉积;通过化学气相渗透法对预制体进行致密化处理,预制体的相对密度达到30%~70%后取出;利用超短脉冲激光对复合材料进行超精细微孔加工,从而疏通气态先驱体的传输通道;循环沉积,获得高致密度陶瓷基复合材料。优点:(1)改善沉积过程中预制体孔隙结构,解决沉积的瓶颈效应,提高复合材料均匀性和致密度;(2)提高复合材料的强度;(3)缩短沉积时间。 | ||
搜索关键词: | 超短 脉冲 激光 加工 辅助 cvi 制备 陶瓷 复合材料 方法 | ||
【主权项】:
一种超短脉冲激光加工辅助CVI制备陶瓷基复合材料的方法,其特征在于步骤如下:步骤1:将成型纤维预制体置于化学气相渗透炉中,采用CVI法制备陶瓷界面层;步骤2:通过化学气相渗透法沉积陶瓷基体对纤维预制体进行致密化处理,相对密度达到30%~70%;步骤3:采用超短脉冲激光在纤维预制体上加工微孔;所述微小孔在纤维预制体上均匀分布,孔距≥3倍微孔直径;步骤4:采用化学气相渗透法沉积基体对加工后的复合材料进行进一步致密化,相对密度达到95%以上。
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