[发明专利]IGBT背面制作方法及IGBT有效
| 申请号： | 201510849344.4 | 申请日： | 2015-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN106816377B | 公开（公告）日： | 2019-11-22 |
| 发明（设计）人： | 肖海波;罗海辉;刘国友 | 申请（专利权）人： | 株洲中车时代电气股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L29/739;H01L29/06 |
| 代理公司： | 11372 北京聿宏知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张文娟;朱绘<国际申请>=<国际公布>= |
| 地址： | 412001 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明提供的IGBT背面制作方法及IGBT，包括：在第一背面上依次沉积第一半导体薄膜层和电介质层；光刻和刻蚀第二区域的第一半导体薄膜层和电介质层，并保留第一区域的第一半导体薄膜层和电介质层；沉积第二半导体薄膜层，光刻和刻蚀第二半导体薄膜层和电介质层，并保留第二区域的第二半导体薄膜层；沉积背面金属电极。本发明利用第一半导体薄膜层和第二半导体薄膜层分别与第一背面间的带隙差来调节载流子注入效率和导通压降，工作时，第一半导体薄膜层的带隙比第一背面的带隙高，载流子注入效率高，器件导通压降低，关断时，第二半导体薄膜层的带隙比第一背面的带隙低，载流子的抽取速率快，使器件快速关断，降低关断损耗，提高器件工作频率。 | ||
| 搜索关键词： | igbt 背面 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种IGBT背面制作方法，其特征在于，包括：/n在第一背面上依次沉积第一半导体薄膜层和电介质层，并将第一背面划分成第一区域与第二区域；/n光刻和刻蚀第二区域的第一半导体薄膜层和电介质层，并保留第一区域的第一半导体薄膜层和电介质层，以获得第二背面；/n在第二背面沉积第二半导体薄膜层，其中，第一背面的带隙介于第一半导体薄膜层的带隙与第二半导体薄膜层的带隙之间；/n光刻和刻蚀覆盖在第一半导体薄膜层上的第二半导体薄膜层和电介质层，并保留第二区域的第二半导体薄膜层，以获得第三背面；/n在第三背面沉积背面金属电极。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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