[发明专利]用于制造第III族氮化物半导体的方法及所使用的坩埚

摘要

本发明公开了用于制造第III族氮化物半导体的方法及所使用的坩埚。本发明的目的是通过助熔剂法在GaN晶体的生长中抑制宏观台阶生长。作为当通过Na助熔剂法生长GaN晶体时保持熔体的坩埚，坩埚由氧化铝制成并且通过石膏模铸造法制造。使用在其内壁上存在有异常生长的氧化铝晶粒并且异常生长的氧化铝晶粒的最大粒径不小于10μm的坩埚。当选择并且使用这种坩埚时，能够抑制宏观台阶生长，由此提高GaN晶体品质。

主权项

一种用于制造第III族氮化物半导体的方法，所述方法包括：将溶解在助熔剂中的第III族金属的熔体保持于坩埚中，将含有氮的气体供应至所述熔体，以及生长所述第III族氮化物半导体，其中，所述坩埚是由氧化铝制成的；并且使用所述坩埚，其中在所述坩埚的内壁上存在有在制造所述坩埚时异常生长的氧化铝晶粒，并且所述异常生长的氧化铝晶粒的最大粒径不小于10μm，并且其中粒径分布的数密度在正常生长的氧化铝晶粒的第一粒径处呈现出第一数密度峰，并且在所述异常生长的氧化铝晶粒的第二粒径处呈现出第二数密度峰，所述第二粒径大于所述第一粒径。