[发明专利]LAVACOAT型的预清洁与预热在审
申请号: | 201510850103.1 | 申请日: | 2009-09-30 |
公开(公告)号: | CN105470114A | 公开(公告)日: | 2016-04-06 |
发明(设计)人: | 布里恩·T·韦斯特;温德尔·小博伊德;萨曼莎·潭 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/203;H01L21/205;H01L21/3065;C23C14/22;C23C14/34;C23C16/44 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本文描述的实施例提供在部件的表面的改变之前使用电磁束进行表面制备的方法,该方法有利地改善那些位置中的最终纹理的质量且相应地减少粒子污染。在实施例中,提供一种对用于半导体处理腔室中的部件的表面提供纹理的方法。该方法包含:在部件的该表面上界定多个区域、将电磁束移动至该多个区域中的第一区域、横跨该第一区域的表面扫描该电磁束以加热该第一区域的该表面,及横跨该第一区域的该经加热的表面扫描该电磁束以形成特征结构。 | ||
搜索关键词: | lavacoat 清洁 预热 | ||
【主权项】:
一种对用于半导体处理腔室中的部件的表面提供纹理的方法,包含以下步骤:在所述部件的所述表面上界定多个区域,其中所述多个区域的每个区域包含多个单元;将电磁束移动至所述多个区域中的第一区域;散焦所述电磁束;横跨所述第一区域的表面扫描经散焦的电磁束以加热所述第一区域的所述表面,其中横跨所述第一区域的表面扫描经散焦的电磁束以加热所述第一区域的所述表面的步骤包含以下步骤:将所述第一区域的所述表面熔融至预定深度;重新聚焦所述电磁束;及横跨所述第一区域的经加热的表面扫描经重新聚焦的电磁束,以在所述多个单元的每个单元中形成特征结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造