[发明专利]一种FLASH存储器编程电路及其电压控制方法有效
| 申请号： | 201510850658.6 | 申请日： | 2015-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN106816174B | 公开（公告）日： | 2021-04-09 |
| 发明（设计）人： | 马继荣;张云翔;张玉;唐明 | 申请（专利权）人： | 紫光同芯微电子有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C16/34 |
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| 地址： | 100083 北京市海淀区五*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种FLASH存储器编程电路及其电压控制方法；该FLASH存储器为SST型，编程电路包括一级译码电路、二级译码选通电路、选通开关电路、SLBIAS电压控制电路、钳位电路和下拉电路；当FLASH存储器处于编程状态时，若存储单元没有沟道漏电，未被选中的SL电压为浮空状态；若存储单元有沟道漏电，未被选中的SL电压被钳位电路钳位，SL电压被限制到MOS晶体管阈值电压附近，通过衬偏作用抑制存储单元沟道漏电增大，有效防止未被选中的SL上的漏电发生；同时，该编程电路电压控制方法实现简单，能有效降低芯片功耗，并较少芯片面积。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 flash 存储器 编程 电路 及其 电压 控制 方法 | ||
【主权项】：
一种SST型FLASH存储器编程电路，包括一级译码电路、二级译码选通电路、选通开关电路、SLBIAS电压控制电路、钳位电路和下拉电路，其特征在于， 一级译码电路，与SLBIAS电压控制电路通过SLBIAS电压节点相连接，输出V1； 二级译码选通电路，输出V2b来连接选通开关电路中的PMOS晶体管； 选通开关电路，由1个 PMOS晶体管组成，串联在V1和SL电压节点之间； 下拉电路，分为SL电压下拉电路和SLBIAS电压下拉电路，SL电压下拉电路，串联在SL电压节点和GND电压节点之间，SLBIAS电压下拉电路和钳位电路，并联在SLBIAS电压节点和GND电压节点之间，当FLASH存储器处于编程状态时，若存储单元没有沟道漏电，未被选中的SL电压为浮空状态；若存储单元有沟道漏电，未被选中的SL电压被钳位电路钳位，SL电压被限制到MOS晶体管阈值电压附近，通过衬偏作用抑制存储单元沟道漏电增大； SLBIAS电压控制电路，输出SLBIAS电压到一级译码电路，一级译码电路输出电压V1到选通开关电路，二级译码电路输出电压V2b到选通开关电路，该选通开关电路根据电压V1和电压V2b的值输出SL电压值。
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