[发明专利]一种基于倏逝波锁模的可饱和吸收体器件的制作方法在审
申请号: | 201510851800.9 | 申请日: | 2015-11-27 |
公开(公告)号: | CN105337153A | 公开(公告)日: | 2016-02-17 |
发明(设计)人: | 王勇刚;段利娜;李璐;王茜 | 申请(专利权)人: | 中国科学院西安光学精密机械研究所 |
主分类号: | H01S3/098 | 分类号: | H01S3/098;H01S3/067 |
代理公司: | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人: | 张倩 |
地址: | 710119 陕西省西*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本发明涉及一种基于倏逝波锁模的可饱和吸收体器件的制作方法,包括以下步骤:1)将可饱和吸收体材料生长在衬底表面上,在衬底上形成可饱和吸收层,得到贴片;2)将贴片粘贴在D型光纤表面,在贴片和D型光纤之间设置有折射率匹配胶,其中贴片附着可饱和吸收层的一侧与D型光纤表面相对,所述折射率匹配胶的折射率与D型光纤内包层匹配。解决了现有的可饱和吸收体器件的制作方法会带来大量非饱和吸收,并且无法避免在与外界接触的技术问题,本发明基于D型光纤倏逝波锁模技术,采用气相沉积等技术,生长低杂质、低非饱和损耗及与衬底材料物理接触紧密的吸收体材料,倒装封装在D型光纤区,从而提高了整体器件的寿命和锁模激光器的长期稳定性。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 倏逝波锁模 饱和 吸收体 器件 制作方法 | ||
【主权项】:
一种基于倏逝波锁模的可饱和吸收体器件的制作方法,包括以下步骤:1)将可饱和吸收体材料生长在衬底表面上,在衬底上形成可饱和吸收层,得到贴片;2)将贴片粘贴在D型光纤表面,在贴片和D型光纤之间设置有折射率匹配胶,其中贴片附着可饱和吸收层的一侧与D型光纤表面相对,所述折射率匹配胶的折射率与D型光纤内包层匹配。
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