[发明专利]基于ITO纳米线网络的电阻开关及制备方法在审
| 申请号： | 201510852064.9 | 申请日： | 2015-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN105405970A | 公开（公告）日： | 2016-03-16 |
| 发明（设计）人： | 李强;弓志娜;王江腾;云峰 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 徐文权 |
| 地址： | 710049 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开一种基于ITO纳米线网络的电阻开关及制备方法，利用电子束蒸镀的方式在镀有金属铝(Al)的蓝宝石基底上制备ITO纳米线网络，然后在ITO纳米线形成的网络薄膜上表面涂银(Ag)导电胶，构成Ag/ITO/Al三明治结构的电阻开关。本发明首次发现ITO纳米线构成的网络薄膜具有电阻开关效应，制备成Ag/ITO/Al三明治结构电阻开关具有良好的开关特性，且稳定性较好，电阻开关特性能够在室温下稳定循环300次以上。本发明中利用电子束蒸镀的方式制备ITO纳米线网络工艺简单，能够实现大面积均匀制备，易实现产业化生产，本发明能够作为用于制备电阻开关非挥发性存储器的原始模型。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 ito 纳米 网络 电阻 开关 制备 方法 | ||
【主权项】：
基于ITO纳米线网络的电阻开关的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)在洁净的衬底上蒸镀一层金属薄膜；(2)用高温胶带将金属薄膜中作为电极的区域进行遮挡；(3)在金属薄膜上非电极区域用自组装法沉积单层聚苯乙烯小球并自然晾干；(4)将ITO靶材放置于电子束蒸镀坩埚内，带有聚苯乙烯小球的衬底卡入样品架，有聚苯乙烯小球的面正对靶材；(5)对设备进行抽真空和腔体加热，温度达到300℃后，稳定5分钟，然后按0.1nm/s的沉积速率，沉积15‑30分钟，停止蒸镀；在金属薄膜的非电极区域形成一层ITO纳米线网络薄膜；(6)样品自然冷却至常温后取出，去除高温胶带；(7)将样品放置在高温退火炉中退火，冷却后取出样品；(8)在ITO纳米线网络薄膜上涂Ag导电胶，制备成Ag/ITO/金属三明治结构的基于ITO纳米线网络的电阻开关。
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