[发明专利]MEMS封装技术有效
| 申请号： | 201510852244.7 | 申请日： | 2015-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN106241726B | 公开（公告）日： | 2018-03-23 |
| 发明（设计）人： | 郑钧文;朱家骅;戴健轩 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/02 | 分类号： | B81B7/02;B81B3/00;B81C1/00;B81C3/00 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 在一些实施例中，本发明提供了MEMS封装件。MEMS封装件包括MEMS IC，MEMS IC包括MEMS衬底、设置在MEMS衬底上方的介电层和设置在介电层上方的压电层。介电层包括由介电材料制成的柔性膜片，以及压电层包括位于柔性膜片上方的压电开口。CMOS IC包括CMOS衬底和电互连结构。CMOS IC接合至MEMS IC，因此电互连结构接近压电层并且因此CMOS IC包围位于柔性膜片上方的后腔。在电互连结构和压电层之间设置支撑层。支撑层具有设置在与柔性膜片垂直对准的位置处并且是部分后腔的支撑层开口。本发明的实施例还涉及MEMS封装技术。 | ||
| 搜索关键词： | mems 封装 技术 | ||
【主权项】：
一种MEMS封装件，包括：MEMS IC，包括MEMS衬底、设置在所述MEMS衬底上方的介电层和设置在所述介电层上方的压电层，其中，所述介电层包括由介电材料制成的柔性膜片，并且其中，所述压电层包括位于所述柔性膜片上方的压电层开口；CMOS IC，包括CMOS衬底和电互连结构，其中，所述CMOS IC接合至所述MEMS IC，因此所述电互连结构接近所述压电层，并且因此所述CMOS IC包围位于所述柔性膜片上方的后腔；以及支撑层，设置在所述电互连结构和所述压电层之间，所述支撑层具有设置在与所述柔性膜片垂直对准的位置处并且是部分所述后腔的支撑层开口。
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