[发明专利]伪差分电容型逐次逼近模数转换器有效
| 申请号： | 201510853949.0 | 申请日： | 2015-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN105375926B | 公开（公告）日： | 2018-10-26 |
| 发明（设计）人： | 张斌 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H03M1/38 | 分类号： | H03M1/38 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种伪差分电容型逐次逼近模数转换器，包括第一和二电容阵列，第一电容阵列包括第一段子电容阵列和低位段子电容阵列。第二电容阵列比第一段子电容阵列的电容位数多一个，第二电容阵列的最高位电容到次低位电容依次和相同位的第一段子电容阵列的电容大小相等并组成差分权重位电容。模数转换过程中，首先从第一段子电容阵列的最高位到最低位进行逐位的差分权重位的模数转换，最低位差分权重位转换完成后，将最低位差分权重位码值转换成过渡码值；过渡码值转换完成后，由第一段子电容阵列的最低位电容和低位段子电容阵列的电容组成单端权重位模式电容阵列并进行单端权重位的转换。本发明能节省芯片面积。 | ||
| 搜索关键词： | 伪差分 电容 逐次 逼近 转换器 | ||
【主权项】：
1.一种伪差分电容型逐次逼近模数转换器，特征在于，包括第一电容阵列和第二电容阵列，所述第一电容阵列包括第一段子电容阵列和一个以上的低位段子电容阵列，所述第一段子电容阵列的位数比各所述低位段子电容阵列都高；所述第一段子电容阵列包括多位电容,各所述低位段子电容阵列包括多位电容，所述第二电容阵列的电容位数比所述第一段子电容阵列的电容位数多一个，所述第二电容阵列的最高位电容到次低位电容依次和相同位的所述第一段子电容阵列的电容大小相等并组成差分权重位电容；所述第二电容阵列的最低位电容和次低位电容大小相等；模数转换过程中，首先从所述第一段子电容阵列的最高位到最低位进行逐位的差分权重位的模数转换，所述第一段子电容阵列的最低位差分权重位转换完成后，将最低位差分权重位码值转换成过渡码值；当所述最低位差分权重位码值为1时，所述过渡码值使所述第二电容阵列的次低位电容和最低位电容都接地；当所述最低位差分权重位码值为0时，所述过渡码值使所述第二电容阵列的次低位电容和最低位电容都接参考电压；所述过渡码值转换完成后，由所述第一段子电容阵列的最低位电容和所述低位段子电容阵列的电容组成单端权重位模式电容阵列并进行单端权重位的转换。
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