[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法有效
申请号: | 201510854664.9 | 申请日: | 2015-11-30 |
公开(公告)号: | CN106206505B | 公开(公告)日: | 2020-06-09 |
发明(设计)人: | 小木曾浩二;村上和博;右田达夫 | 申请(专利权)人: | 东芝存储器株式会社 |
主分类号: | H01L23/482 | 分类号: | H01L23/482;H01L23/498;H01L21/60 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 张世俊 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明的实施方式提供一种能够谋求厚度方向上的小型化的半导体装置以及半导体装置的制造方法。实施方式的半导体装置具备第1基板、铝垫、第1镍电极、第2基板、第2镍电极以及连接层。第1基板的内部具有配线。铝垫设置在第1基板的表层内,并与配线连接。第1镍电极是一部分埋设在第1基板中并与铝垫连接,并且顶面从第1基板的表面突出。第2基板积层于第1基板。第2镍电极是一部分埋设在第2基板中,并且顶面从第2基板的第1基板侧的表面突出。连接层由含锡的合金形成,将第1镍电极及第2镍电极之间连接。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 以及 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种半导体装置,其特征在于具备:第1基板,内部具有配线;铝垫,设置在所述第1基板的表层内,与所述配线连接;第1镍电极,一部分埋设在所述第1基板中并与所述铝垫连接,并且顶面从所述第1基板的表面突出;第2基板,积层在所述第1基板上;第2镍电极,一部分埋设在所述第2基板中,并且顶面从所述第2基板的所述第1基板侧的表面突出;以及连接层,由含锡的合金形成,将所述第1镍电极及所述第2镍电极之间连接。
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