[发明专利]在垂直纳米导线晶体管中诱发局部应变有效
| 申请号： | 201510856836.6 | 申请日： | 2015-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN105810720B | 公开（公告）日： | 2019-05-10 |
| 发明（设计）人： | 尚-皮耶·柯林基;张广兴;卡罗斯·H·迪雅兹 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/10 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 路勇 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是关于在垂直纳米导线晶体管中诱发局部应变。根据本发明一实施例的装置包含半导体衬底和所述半导体衬底上方的垂直纳米导线。所述垂直纳米导线包含底部源极/漏极区域、所述底部源极/漏极区域上方的沟道区域，以及所述沟道区域上方的顶部源极/漏极区域。顶部层间电介质ILD包围所述顶部源极/漏极区域。所述装置进一步包含包围所述底部源极/漏极区域的底部ILD、包围所述沟道区域的栅电极以及应变施加层，所述应变施加层具有在所述顶部ILD、所述底部ILD和所述栅电极的相对侧上的垂直部分，并且接触所述顶部ILD、所述底部ILD和所述栅电极的相对侧壁。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 纳米 导线 晶体管 诱发 局部 应变 | ||
【主权项】：
1.一种装置，其包括：半导体衬底；所述半导体衬底上方的垂直纳米导线，所述垂直纳米导线包括：底部源极/漏极区域；所述底部源极/漏极区域上方的沟道区域；以及所述沟道区域上方的顶部源极/漏极区域；顶部层间电介质ILD，其包围所述顶部源极/漏极区域；底部ILD，其包围所述底部源极/漏极区域；栅电极，其包围所述沟道区域；以及应变施加层，其包括在所述顶部ILD、所述底部ILD和所述栅电极的相对侧上的垂直部分，并且接触所述顶部ILD、所述底部ILD和所述栅电极的相对侧壁。
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