[发明专利]光电转换装置、光电转换装置的制造方法及电子设备有效
| 申请号： | 201510857641.3 | 申请日： | 2015-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN105679847B | 公开（公告）日： | 2019-12-10 |
| 发明（设计）人： | 工藤学 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/18 |
| 代理公司： | 11240 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 田喜庆;吴孟秋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供光电转换装置、光电转换装置的制造方法及电子设备，其中，光电转换装置具有高光敏度且可靠性高，光电转换装置的制造方法能够稳定地制造该光电转换装置。作为光电转换装置的图像传感器(100)，其特征在于，具备：下部电极(21)，包含高熔点金属；上部电极(25)，配置在下部电极(21)的上层；p型半导体层(23)和n型半导体层(24)，配置在下部电极(21)与上部电极(25)之间；以及中继电极(26)，包含高熔点金属，下部电极(21)和中继电极(26)形成于同一层，在下部电极(21)上形成有高熔点金属的硒化膜、即中间层(22)。 | ||
| 搜索关键词： | 光电 转换 装置 制造 方法 电子设备 | ||
【主权项】：
1.一种光电转换装置，其特征在于，具备：/n第一电极，包含第一金属；/n第二电极，配置在所述第一电极的上层；/n半导体层，配置在所述第一电极与所述第二电极之间；以及/n第三电极，包含所述第一金属，/n所述第一电极和所述第三电极形成于同一层，/n在所述第一电极上形成有所述第一金属的硒化膜，/n在所述第三电极上未形成所述第一金属的硒化膜，/n绝缘层和保护层位于所述第一电极和所述第二电极之间，所述保护层覆盖所述绝缘层。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
