[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201510860676.2 | 申请日： | 2015-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN106505103B | 公开（公告）日： | 2019-12-24 |
| 发明（设计）人： | 王圣祯;杨世海;萧琮介 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 72003 隆天知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王芝艳;冯志云 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;TW |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置的制造方法，在上述方法中，一第一半导体层形成于一基底上方。一蚀刻停止层形成于第一半导体层上方。一虚置层形成于蚀刻停止层上方。多个隔离区形成于虚置层、蚀刻停止层及第一半导体层内。去除位于隔离区之间的虚置层及蚀刻停止层，以形成一空间。第一半导体层露出于空间内。一第二半导体层形成于空间内的第一半导体层上方。一第三半导体层形成于空间内的第二半导体层上方。下凹隔离区，以露出第三半导体层的一上部。本发明亦提供一种半导体装置。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制造方法，包括︰/n形成一第一半导体层于一基底上方；/n形成一蚀刻停止层于该第一半导体层上方；/n形成一虚置层于该蚀刻停止层上方；/n形成多个隔离区于该虚置层、该蚀刻停止层及该第一半导体层内；/n去除所述多个隔离区之间的该虚置层及该蚀刻停止层，以形成一空间，该空间内露出该第一半导体层；/n形成一第二半导体层于该空间内的该第一半导体层上方；/n形成一第三半导体层于该空间内的该第二半导体层上方；以及/n下凹所述多个隔离区，以露出该第三半导体层的一上部。/n
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