[发明专利]TFT阵列基板及其制作方法有效

专利信息
申请号: 201510860702.1 申请日: 2015-11-30
公开(公告)号: CN105280633B 公开(公告)日: 2019-01-01
发明(设计)人: 李强 申请(专利权)人: 深圳市华星光电技术有限公司
主分类号: H01L27/02 分类号: H01L27/02;H01L27/12;H01L21/77
代理公司: 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 代理人: 林才桂
地址: 518132 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明提供一种TFT阵列基板及其制作方法,以扫描线(2)的图案为掩模版,对衬底基板(1)进行干蚀刻,在衬底基板(1)与扫描线(2)的爬升斜坡(21)的相交处形成一过渡斜坡(13),数据线(4)及绝缘层(3)经由该过渡斜坡(13)、与爬升斜坡(21)翻过扫描线(2),相比于现有技术,能够使得在数据线与扫描线交叉处,数据线及绝缘层的爬坡较平缓,从而能够防止数据线与扫描线交叉处的静电击伤、及数据线在爬坡区断开造成垂直断线的问题,保证TFT阵列基板的质量。
搜索关键词: tft 阵列 及其 制作方法
【主权项】:
1.一种TFT阵列基板,其特征在于,包括:衬底基板(1)、设于所述衬底基板(1)上的数条平行排列的扫描线(2)、覆盖所述数条平行排列的扫描线(2)及衬底基板(1)的绝缘层(3)、及设于所述绝缘层(3)上的数条平行排列的数据线(4);所述数据线(4)与扫描线(2)在空间上垂直交叉;所述衬底基板(1)包括:与所述扫描线(2)的直接接触的第一部分(11)、及与绝缘层(3)直接接触的第二部分(12),所述衬底基板(1)的第一部分(11)的上表面高于第二部分(12)的上表面,所述第一部分(11)与第二部分(12)通过过渡斜坡(13)相连;所述扫描线(2)的两侧面分别相对于所述衬底基板(1)的第一部分(11)的上表面倾斜,形成爬升斜坡(21);所述数据线(4)及绝缘层(3)经由该过渡斜坡(13)、与爬升斜坡(21)翻过扫描线(2);所述过渡斜坡(13)呈圆弧状,圆弧的一端与所述衬底基板(1)的第二部分(12)的上表面相切,另一端与爬升斜坡(21)相切。
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