[发明专利]TFT阵列基板及其制作方法有效
申请号: | 201510860702.1 | 申请日: | 2015-11-30 |
公开(公告)号: | CN105280633B | 公开(公告)日: | 2019-01-01 |
发明(设计)人: | 李强 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人: | 林才桂 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种TFT阵列基板及其制作方法,以扫描线(2)的图案为掩模版,对衬底基板(1)进行干蚀刻,在衬底基板(1)与扫描线(2)的爬升斜坡(21)的相交处形成一过渡斜坡(13),数据线(4)及绝缘层(3)经由该过渡斜坡(13)、与爬升斜坡(21)翻过扫描线(2),相比于现有技术,能够使得在数据线与扫描线交叉处,数据线及绝缘层的爬坡较平缓,从而能够防止数据线与扫描线交叉处的静电击伤、及数据线在爬坡区断开造成垂直断线的问题,保证TFT阵列基板的质量。 | ||
搜索关键词: | tft 阵列 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
1.一种TFT阵列基板,其特征在于,包括:衬底基板(1)、设于所述衬底基板(1)上的数条平行排列的扫描线(2)、覆盖所述数条平行排列的扫描线(2)及衬底基板(1)的绝缘层(3)、及设于所述绝缘层(3)上的数条平行排列的数据线(4);所述数据线(4)与扫描线(2)在空间上垂直交叉;所述衬底基板(1)包括:与所述扫描线(2)的直接接触的第一部分(11)、及与绝缘层(3)直接接触的第二部分(12),所述衬底基板(1)的第一部分(11)的上表面高于第二部分(12)的上表面,所述第一部分(11)与第二部分(12)通过过渡斜坡(13)相连;所述扫描线(2)的两侧面分别相对于所述衬底基板(1)的第一部分(11)的上表面倾斜,形成爬升斜坡(21);所述数据线(4)及绝缘层(3)经由该过渡斜坡(13)、与爬升斜坡(21)翻过扫描线(2);所述过渡斜坡(13)呈圆弧状,圆弧的一端与所述衬底基板(1)的第二部分(12)的上表面相切,另一端与爬升斜坡(21)相切。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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