[发明专利]一种基于磁路的位移传感器在审
| 申请号： | 201510861131.3 | 申请日： | 2015-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN106813687A | 公开（公告）日： | 2017-06-09 |
| 发明（设计）人： | 卢晔 | 申请（专利权）人： | 成都九十度工业产品设计有限公司 |
| 主分类号： | G01D5/12 | 分类号： | G01D5/12 |
| 代理公司： | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司51214 | 代理人： | 刘世权 |
| 地址： | 610000 四川省成都市武侯区武侯*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于磁路的位移传感器，其特征在于包括基体A和基体B，所述基体A上设有永磁体，所述基体B上设有从动磁体，所述永磁体与从动磁体相向布置形成磁场，所述永磁体与从动磁体之间布置有磁场传感器，所述磁场传感器与模数转换器相连。本发明位移传感器属于非接触位移测量，在使用时不受光线、温度、湿度、污垢等外界环境的限制，同时减小接触后的磨损，延长位移传感器的使用寿命；基于磁场变化所测得的位移精度比较高，而且结构简单，使用方便。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 磁路 位移 传感器 | ||
【主权项】：
一种基于磁路的位移传感器，其特征在于：包括基体A和基体B，所述基体A上设有永磁体，所述基体B上设有从动磁体，所述永磁体与从动磁体相向布置形成磁场，所述永磁体与从动磁体之间布置有磁场传感器，所述磁场传感器与模数转换器相连。
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