[发明专利]一种改善透明导电氧化物ITiO薄膜性能的方法在审
| 申请号： | 201510861183.0 | 申请日： | 2015-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN105489663A | 公开（公告）日： | 2016-04-13 |
| 发明（设计）人： | 郁操;杨苗;龙巍;易志凯;张津燕 | 申请（专利权）人： | 福建铂阳精工设备有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/18 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 362000 福建省泉*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于太阳电池领域，具体涉及一种改善太阳能电池用透明导电氧化物ITiO薄膜性能的方法。本发明方法，包括以下步骤：a、ITiO薄膜沉积前预处理：在沉积设备中通入背景气体，大于20min后停止通入背景气体，将沉积设备抽真空；b、ITiO薄膜沉积：将镀膜基板放入a步骤抽真空后的沉积设备中，采用溅射法沉积ITiO薄膜；c、ITiO薄膜沉积后处理：将b步骤沉积得到的ITiO薄膜在150～300℃下进行退火处理，即得改善后的透明氧化物ITiO薄膜。本发明方法简单，可以有效改善薄膜的透过率和导电率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 透明 导电 氧化物 itio 薄膜 性能 方法 | ||
【主权项】：
一种改善透明氧化物ITiO薄膜性能的方法，其特征在于：包括以下步骤：a、ITiO薄膜沉积前预处理：在沉积设备中通入背景气体，大于20min后停止通入背景气体，将沉积设备抽真空，使设备真空度为8*10‑4～8*10‑2Pa；b、ITiO薄膜沉积：将镀膜基板放入a步骤抽真空后的沉积设备中，采用溅射法沉积ITiO薄膜，溅射气体为Ar和O2；其中，沉积压强为0.2～0.7Pa，沉积温度为25～300℃；溅射功率密度为0.5～5W/cm2；c、ITiO薄膜沉积后处理：将b步骤沉积得到的ITiO薄膜在150～300℃下进行退火处理，即得改善后的透明氧化物ITiO薄膜。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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