[发明专利]半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201510861184.5 | 申请日： | 2015-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN106816464B | 公开（公告）日： | 2020-03-20 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 张海强 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体装置的制造方法，涉及半导体技术领域。所述方法包括：提供衬底；对所述衬底进行N型掺杂以在所述衬底中形成N阱；对所述衬底进行刻蚀以形成位于所述N阱上的第一组鳍片以及位于与所述N阱邻接的衬底上的第二组鳍片；在各个鳍片之间形成隔离区以至少部分填充各个鳍片之间的空间；对所述第二组鳍片下的衬底进行P型掺杂，以形成与所述N阱邻接的P阱。本发明将形成N阱和P阱的时机分开，在鳍片形成之前进行N型掺杂形成N阱，在鳍片形成之后进行P型掺杂形成P阱，一方面，避免了P阱中掺杂的离子在形成隔离区时扩散到隔离区中导致的离子的损失；另一方面，也避免了N型掺杂对鳍片的损伤。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底；对所述衬底进行N型掺杂以在所述衬底中形成N阱；对所述衬底进行刻蚀以形成位于所述N阱上的第一组鳍片以及位于与所述N阱邻接的衬底上的第二组鳍片；在各个鳍片之间形成隔离区以至少部分填充各个鳍片之间的空间；对所述第二组鳍片下的衬底进行P型掺杂，以形成与所述N阱邻接的P阱。
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