[发明专利]一种发出近红外光的氮化镓基LED芯片结构

摘要

本发明公开了一种发出近红外光的氮化镓基LED芯片结构，包括衬底，衬底上设置有N-GaN层、发光层和P-GaN层，形成LED晶圆，LED晶圆外覆盖有光阻层，光阻层由透明绝缘的光刻胶通过光刻工艺形成，光刻胶内均匀混合有量子点，所述量子点包括GaAs、CdHgTe、Ag2S中的任意一种或几种。由于光刻胶是软性材料，抗冲击、抗压的能力优秀，使光阻层更好的起到保护作用；光阻层取代钝化层还减少了设置钝化层和蚀刻钝化层两道工序，提高了LED发光芯片的生产效率，降低制造成本；同时由于光阻层内带有GaAs、CdHgTe、Ag₂S中的任意一种或几种量子点，量子点受到激发后，发出近红外光的光线。

主权项

一种发出近红外光的氮化镓基LED芯片结构，其特征在于：包括衬底（10），所述衬底（10）上依次设置有N‑GaN层（20）、发光层（30）和P‑GaN层（40），形成LED晶圆，所述LED晶圆外直接覆盖有光阻层（60），所述光阻层（60）由透明绝缘的光刻胶通过光刻工艺形成，所述光刻胶内均匀混合有量子点, 所述量子点包括GaAs、CdHgTe、Ag2S中的任意一种材料或几种的复合材料。