[发明专利]钽酸锂晶体基片的黑化处理方法在审
| 申请号： | 201510864268.4 | 申请日： | 2015-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN105463581A | 公开（公告）日： | 2016-04-06 |
| 发明（设计）人： | 赵广军;万育仁;杨胜裕;姚诗凯 | 申请（专利权）人： | 上海召业申凯电子材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B33/02 | 分类号： | C30B33/02;C30B29/30 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 张泽纯 |
| 地址： | 201821 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种钽酸锂晶体基片的黑化处理方法，采用氟化物材料与待处理的钽酸锂晶体基片充分接触，在非氧化性还原性气氛中，在450℃～600℃对钽酸锂晶体基片进行还原热处理，热处理时间为5-24小时。本发明获得的黑化钽酸锂晶体基片的体电阻率为109～1012Ωcm。本发明方法具有简单可靠、易操作、获得的钽酸锂晶体基片的电阻率的重复性好、成本低，适合批量生产的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 钽酸锂 晶体 处理 方法 | ||
【主权项】：
一种钽酸锂晶体基片的黑化处理方法，其特征在于：采用具有强脱氧能力的氟化物材料在非氧化气氛下和低于所述的待处理的钽酸锂晶体基片的居里温度条件下对待处理钽酸锂晶体基片进行还原黑化处理。
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