[发明专利]半导体加工设备在审
申请号: | 201510867500.X | 申请日: | 2015-12-01 |
公开(公告)号: | CN106816398A | 公开(公告)日: | 2017-06-09 |
发明(设计)人: | 李广 | 申请(专利权)人: | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01J37/32 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人: | 彭瑞欣,张天舒 |
地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供一种半导体加工设备,包括反应腔室、工艺气路和吹扫装置,其中,在反应腔室内设置有用于固定晶片的承载装置;工艺气路用于向反应腔室内输送工艺气体。吹扫装置包括进气管路和气源,其中,气源用于向进气管路提供吹扫气体;进气管路设置在反应腔室的腔室壁内,且进气管路的进气端与气源连接,进气管路的出气端设置在反应腔室的腔室侧壁上,用以朝向晶片上表面、且沿平行于晶片上表面的方向输送吹扫气体。本发明提供的半导体加工设备,其可以在工艺前后清除掉落在晶片上表面的颗粒,从而可以避免部分刻蚀缺陷,进而可以提高产品良率。 | ||
搜索关键词: | 半导体 加工 设备 | ||
【主权项】:
一种半导体加工设备,包括反应腔室和工艺气路,其中,在所述反应腔室内设置有用于固定晶片的承载装置;所述工艺气路用于向所述反应腔室内输送工艺气体,其特征在于,还包括吹扫装置,所述吹扫装置包括进气管路和气源,其中,所述气源用于向所述进气管路提供所述吹扫气体;所述进气管路设置在所述反应腔室的腔室壁内,且所述进气管路的进气端与所述气源连接,所述进气管路的出气端设置在所述反应腔室的腔室侧壁上,用以朝向所述晶片上表面、且沿平行于所述晶片上表面的方向输送吹扫气体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造