[发明专利]一种结合带间和价带子带间吸收的稀铋量子阱探测器及制备方法有效
| 申请号： | 201510867591.7 | 申请日： | 2015-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN105609582B | 公开（公告）日： | 2017-11-21 |
| 发明（设计）人： | 顾溢;张永刚 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L31/10 | 分类号： | H01L31/10;H01L31/0304;H01L31/0352;H01L31/18 |
| 代理公司： | 上海泰能知识产权代理事务所31233 | 代理人： | 黄志达 |
| 地址： | 200050 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种结合带间和价带子带间吸收的稀铋量子阱探测器及制备方法，探测器以稀铋多量子阱作为吸收层，其中势阱层为p型稀铋III‑V族材料，势垒层为不掺杂的不含铋III‑V族材料。制备方法包括依次在衬底上生长p型高掺杂不含铋III‑V族缓冲层、稀铋多量子阱结构吸收层以及p型高掺杂不含铋III‑V族材料上接触层。本发明的探测器可以同时利用带间吸收和价带子带间吸收，增强对光的吸收，也可在太阳电池等利用光吸收的器件中进行应用，具有广泛的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 结合 价带 子带间 吸收 量子 探测器 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种结合带间和价带子带间吸收的稀铋量子阱探测器，其特征在于：所述探测器以稀铋多量子阱作为吸收层，其中势阱层为p型稀铋III‑V族材料，势垒层为不掺杂的不含铋III‑V族材料，势阱层p型掺杂浓度介于3×1017cm‑3至5×1018cm‑3之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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