[发明专利]一种用于MRAM的磁性存储器件有效
| 申请号： | 201510867892.X | 申请日： | 2015-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN105514261B | 公开（公告）日： | 2018-07-20 |
| 发明（设计）人： | 左正笏;徐庶;李辉辉;韩谷昌;蒋信;刘瑞盛;孟皓;刘波 | 申请（专利权）人： | 中电海康集团有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/10 |
| 代理公司： | 杭州之江专利事务所(普通合伙) 33216 | 代理人： | 张慧英 |
| 地址： | 311121 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及磁电阻随机存储器(MRAM)，尤其涉及一种利用亚铁磁材料构成固定层以减小自由层和固定层之间耦合磁场分布的磁电阻随机存储器件,包括：铁磁性的自由层、隔离层、含有亚铁磁性的固定层，隔离层由非磁性物质构成并位于铁磁性的自由层和含有亚铁磁性的固定层之间，含有亚铁磁性的固定层的磁性补偿温度与MRAM的工作温度匹配，所述磁性补偿温度下含有亚铁磁性的固定层的磁矩接近为零。本发明的有益效果在于：利用亚铁磁材料作为固定层，其产生的作用于自由层的耦合磁场与固定层的尺寸几乎无关，因此可以有效地减小磁性存储器件阵列中耦合磁场的分布。本发明对MRAM的制备生产有着重要意义，有很大的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 mram 磁性 存储 器件 | ||
【主权项】：
1.一种用于MRAM的磁性存储器件，其特征在于包括：铁磁性的自由层、隔离层、含有亚铁磁性的固定层，隔离层由非磁性物质构成并位于铁磁性的自由层和含有亚铁磁性的固定层之间，使含有亚铁磁性的固定层的磁性补偿温度与MRAM的工作温度匹配，所述磁性补偿温度下含有亚铁磁性的固定层的磁矩接近为零；所述含有亚铁磁性的固定层包含有SAF结构；所述含有亚铁磁性的固定层和铁磁性的自由层的磁化方向在膜层面内或垂直于膜层。
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