[发明专利]光器件晶片的加工方法在审
申请号: | 201510868645.1 | 申请日: | 2015-12-02 |
公开(公告)号: | CN105679708A | 公开(公告)日: | 2016-06-15 |
发明(设计)人: | 大岛龙司 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78;H01L33/00 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;金玲 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 光器件晶片的加工方法。在对光器件晶片的透光性成型树脂进行旋削的情况下,能够将旋削后的透光性成型树脂层正面的平坦度保持为高水准,并且实现切削部的消耗量抑制和加工的高速化。光器件晶片(1)的加工方法包括:第1旋削工序,使具有由包含金刚石的烧结体形成的切削部的刀具(43a)旋转并作用于光器件晶片(1)的透光性成型树脂(13)上,从而对透光性成型树脂(13)进行粗旋削;以及第2旋削工序,在第1旋削工序之后,使具有金刚石单晶的切削部的刀具(43b)旋转并产生作用,旋削透光性成型树脂(13),将透光性成型树脂(13)精加工为期望的厚度。 | ||
搜索关键词: | 器件 晶片 加工 方法 | ||
【主权项】:
一种光器件晶片的加工方法,该光器件晶片在发光层上形成有多个光器件,并且在该发光层的正面上覆盖有提升光特性的透光性成型树脂,该加工方法的特征在于,包括:第1旋削工序,使具有切削部的刀具旋转并作用于光器件晶片的该透光性成型树脂上,对该透光性成型树脂进行旋削,来对该透光性成型树脂进行粗旋削,其中,该切削部是由包含金刚石的烧结体形成的;以及第2旋削工序,在该第1旋削工序之后,使具有金刚石单晶的切削部的刀具旋转并作用于光器件晶片的该透光性成型树脂上,对该透光性成型树脂进行旋削,来将该透光性成型树脂精加工为期望的厚度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造