[发明专利]半导体结构的形成方法有效
| 申请号： | 201510868767.0 | 申请日： | 2015-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN106816380B | 公开（公告）日： | 2019-11-05 |
| 发明（设计）人： | 韩秋华 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有高K介质材料层以及位于高K介质材料层上的伪栅材料层；在刻蚀腔内侧壁表面形成第一硅氧氯层；在形成第一硅氧氯层后，将半导体衬底置于刻蚀腔中；在将半导体衬底置于刻蚀腔中后，刻蚀去除部分所述伪栅材料层，形成伪栅；在形成伪栅后，在所述刻蚀腔的内侧壁表面以及伪栅的侧壁表面形成第二硅氧氯层；在形成第二硅氧氯层后，以所述伪栅为掩膜，刻蚀所述高K介质材料层，在伪栅底部形成高K栅介质层。本发明的方法保证工艺稳定性的同时，防止刻蚀腔内侧壁的损伤。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有高K介质材料层以及位于高K介质材料层上的伪栅材料层；在刻蚀腔内侧壁表面形成第一硅氧氯层；在形成第一硅氧氯层后，将半导体衬底置于刻蚀腔中；在将半导体衬底置于刻蚀腔中后，刻蚀去除部分所述伪栅材料层，形成伪栅；在形成伪栅后，在所述刻蚀腔的内侧壁表面以及伪栅的侧壁表面形成第二硅氧氯层；在形成第二硅氧氯层后，以所述伪栅为掩膜，刻蚀所述高K介质材料层，在伪栅底部形成高K栅介质层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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