[发明专利]发光器件、制造发光器件的方法、以及发光器件封装在审
| 申请号： | 201510869322.4 | 申请日： | 2011-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN105390582A | 公开（公告）日： | 2016-03-09 |
| 发明（设计）人： | 裵贞赫;郑泳奎;朴径旭;朴德炫 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 周燕;夏凯 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及发光器件、制造发光器件的方法、以及发光器件封装。根据实施例的发光器件包括：导电支撑构件，该导电支撑构件在其外围区域处具有台阶部分；保护构件，该保护构件用于填充被形成在导电支撑构件的外围区域处的台阶部分；反射层，该反射层在导电支撑构件上方；以及发光结构，该发光结构在反射层和保护构件上方。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 器件 制造 方法 以及 封装 | ||
【主权项】：
1.一种发光器件，包括：支撑电极，所述支撑电极包括第一区域和第二区域，所述第二区域具有比所述第一区域的厚度薄的厚度；保护构件，所述保护构件在所述支撑电极的所述第二区域之上；反射层，所述反射层在所述支撑电极之上；以及发光结构，所述发光结构位于所述反射层和所述保护构件之上，所述发光结构包括n型半导体层、p型半导体层、以及被插入在所述n型半导体层和所述p型半导体层之间的有源层，其中，所述保护构件的顶表面直接接触所述p型半导体层的下表面，其中，所述支撑电极包括在所述支撑电极的横向侧处向内凹陷的弯曲表面。
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