[发明专利]一种多晶硅高阻的制造方法在审
| 申请号： | 201510870997.0 | 申请日： | 2015-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN106816433A | 公开（公告）日： | 2017-06-09 |
| 发明（设计）人： | 李伟;郝龙 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所11336 | 代理人： | 汪洋,徐雁漪 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种多晶硅高阻的制造方法，涉及半导体技术领域。包括提供半导体衬底，半导体衬底包括PMOS区、NMOS区和多晶硅高阻区，在多晶硅高阻区内半导体衬底上形成图案化的多晶硅电阻层；对所述NMOS区内形成源/漏区的区域和多晶硅电阻层同时进行N型离子注入，对PMOS区内预定形成源/漏区的区域和多晶硅电阻层同时进行P型离子注入，其中N型离子注入的注入剂量与P型离子注入的注入剂量不同，多晶硅电阻层的高阻区通过P型离子和所述N型离子的中和掺杂而形成。本发明通过在源漏区高掺杂注入时，将N型和P型杂质注入同一多晶硅电阻层，使两种杂质相互中和，实现较低的净掺杂浓度达到高阻的目的，节省了成本，简化了工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 硅高阻 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种多晶硅高阻的制造方法，其特征在于，包括：步骤S1：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括PMOS区、NMOS区和多晶硅高阻区，在所述半导体衬底上所述多晶硅高阻区内形成图案化的多晶硅电阻层；步骤S2：对所述NMOS区内预定形成源/漏区的区域和所述多晶硅电阻层同时进行N型离子注入，对所述PMOS区内预定形成源/漏区的区域和所述多晶硅电阻层同时进行P型离子注入；其中，所述N型离子注入的注入剂量与所述P型离子注入的注入剂量不同，所述多晶硅电阻层的高阻区通过所述P型离子和所述N型离子的中和掺杂而形成。
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