[发明专利]一种应用于超高频标签的解调电路有效
申请号: | 201510872587.X | 申请日: | 2015-12-03 |
公开(公告)号: | CN106845600B | 公开(公告)日: | 2019-11-12 |
发明(设计)人: | 温立国 | 申请(专利权)人: | 四川华大恒芯科技有限公司 |
主分类号: | G06K19/077 | 分类号: | G06K19/077 |
代理公司: | 北京元本知识产权代理事务所 11308 | 代理人: | 熊传亚 |
地址: | 中国(四川)自由贸易试验区成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明公开了一种应用于超高频标签的解调电路,包括迟滞比较器,包络检波电路、高低通滤波电路;包络检波电路,输入端与射频天线相连,L0端接低电平,并由四个低阈值的MOS管构成栅交叉结构;交替导通输出包络检波信号;高低通滤波电路,采用电流源加电容电阻结构,通过电流源I1、I2和电容C1、C2及电阻R的使用实现滤波功能,对接收的包络检波信号进行滤波,并发生送给迟滞比较器。采用本发明所述的解调电路,实现了超高频标签对低功耗、高性能和小面积的要求。 | ||
搜索关键词: | 一种 应用于 超高频 标签 解调 电路 | ||
【主权项】:
1.一种应用于超高频标签的解调电路,包括迟滞比较器,其特征在于,还包括包络检波电路和高低通滤波电路,其中:包络检波电路,其输入端与射频天线相连,LO端接低电平,并由四个低阈值的MOS管M1‑M4构成栅交叉结构,交替导通输出包络检波信号,其中,MOS管M1和MOS管M2的源极和衬底与LO端相连,MOS管M3和MOS管M4的源极和衬底与HO端相连,MOS管M1和MOS管M3的漏端连接到一起同时与电容C1相连,电容C1另一端为输入天线的RF+端;同理MOS管M2和MOS管M4的漏端连接到一起同时与电容C2相连,电容C2另一端为输入天线的RF‑端,MOS管M1和MOS管M3的栅极与MOS管M2和MOS管M4的漏端相连,同时MOS管M2和MOS管M4的栅极与MOS管M1和MOS管M3的漏端相连,构成栅交叉的结构;高低通滤波电路,采用电流源加电容电阻结构,通过电流源I1、I2和电容C1、C2及电阻R的使用实现滤波功能,对从包络检波电路接收的包络检波信号进行滤波,并发送给迟滞比较器,其中,电流源I1和电容C1并联在输入端VHI和地GND之间,同时输入端VHI与包络检波电路的输出端HO相连;电阻R连接在输入端VHI与输出端VLO之间,电流源I2和电容C2并联于输出端VLO与地GND之间。
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