[发明专利]一种电化学制备非晶单质硒薄膜的方法在审

专利信息
申请号: 201510873548.1 申请日: 2015-12-03
公开(公告)号: CN105420779A 公开(公告)日: 2016-03-23
发明(设计)人: 张骞;李伟;周莹;淡猛;李志光;陈严义;于珊;王芳 申请(专利权)人: 西南石油大学
主分类号: C25D9/04 分类号: C25D9/04;C25D3/02;C25D5/54
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 610500 四*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明提供了一种非晶单质硒薄膜的电化学制备方法,其特征在于:以亚硒酸(H2SeO3)为硒源,与柠檬酸水溶液形成含硒电化学沉积液;以导电玻璃为薄膜沉积基底,在上述电化学沉积液中利用电化学方法(恒电位技术),沉积电位变动范围为-0.5V~-0.8V(相对于饱和甘汞电极),沉积时间为100~14400s,沉积制备好的非晶单质硒薄膜在去离子水中浸泡数分钟,除去表面的溶液离子,在室温下进行干燥,即可获得非晶单质硒薄膜。本发明方法设备简单、操作方便、所制薄膜均匀、厚度可控,有利于实验的后续相关材料的测试及表征。本发明主要应用于非晶单质硒薄膜的制备。
搜索关键词: 一种 电化学 制备 单质 薄膜 方法
【主权项】:
一种制备非晶单质硒薄膜的方法,其特征是包括下列步骤:a)电化学沉积液的配置:电化学沉积液为含亚硒酸(H2SeO3)和柠檬酸的水溶液。其中浓度范围为1‑5mmol/L的亚硒酸,浓度范围为0.1‑1mol/L的柠檬酸。溶液配制过程为:先称取一定量的亚硒酸(H2SeO3)溶于去离子水中,待溶解之后,再称取一定量的柠檬酸加入、溶解之后,即可制得电化学沉积混合液;b)单质硒薄膜的电化学沉积:利用三电极系统,以铂网为对电极,饱和甘汞电极(SCE)为参比电极,导电玻璃(FTO)为工作电极,将电化学沉积混合液注入石英沉积槽中,采用恒电位沉积技术,沉积电位的设定取值范围为‑0.5V~-0.8V(相对于饱和甘汞电极),沉积时间为100~14400s,即可获得非晶单质硒薄膜。
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