[发明专利]一种高压功率器件终端的制作方法有效
| 申请号： | 201510873937.4 | 申请日： | 2015-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN105551961B | 公开（公告）日： | 2019-02-12 |
| 发明（设计）人： | 陈利;徐承福;高耿辉;姜帆 | 申请（专利权）人： | 厦门元顺微电子技术有限公司;大连连顺电子有限公司;友顺科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361008 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开一种高压功率器件终端的制作方法，包括以下步骤：S01：提供一衬底；S02：在所述衬底上生长第一绝缘区；S03：利用湿法刻蚀，留下所述第一绝缘区的右侧部分；S04：在所述衬底和第一绝缘区上生长第二绝缘区；S05：在所述第二绝缘区上注入B,并扩散形成p‑漂移区；S06：利用光刻刻蚀，留下所述第二绝缘区的中部和右侧部分；S07：在所述第二绝缘区上注入B+，形成p+基区；S08：进行金属连线的制作，形成源电极。本发明有利于减小终端注入对硅衬底造成的缺陷，从而提高了器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高压 功率 器件 终端 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种高压功率器件终端的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：S01：提供一衬底；S02：在所述衬底上生长第一绝缘区(4)；S03：利用湿法刻蚀，留下所述第一绝缘区(4)的右侧部分；S04：在所述衬底和第一绝缘区(4)上生长第二绝缘区(5)；S05：在所述第二绝缘区(5)上注入B,并扩散形成p‑漂移区(2)；S06：利用光刻刻蚀，留下所述第二绝缘区(5)的中部和右侧部分；S07：在所述第二绝缘区(5)上注入B+，形成p+基区(3)；S08：进行金属连线的制作，形成源电极(6)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
