[发明专利]半导体装置有效

专利信息
申请号: 201510873959.0 申请日: 2015-12-03
公开(公告)号: CN105742278B 公开(公告)日: 2020-01-07
发明(设计)人: 仲村秀世;田久保扩;山田隆二 申请(专利权)人: 富士电机株式会社
主分类号: H01L25/07 分类号: H01L25/07;H02M7/00
代理公司: 11286 北京铭硕知识产权代理有限公司 代理人: 金玉兰;王颖
地址: 日本神奈*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供在三电平逆变器模块中使额定电流大容量化的同时减小电感的半导体装置。所述半导体装置具备多个半导体单元和将多个半导体单元在电气上并联的连接单元,半导体单元具有:层叠基板,其具有绝缘板和在绝缘板的主表面配置的电路板;多个半导体元件,其背面固定于电路板,并在正面具有主电极;布线部件,其与半导体元件的主电极电连接,其中,通过层叠基板、半导体元件和布线部件在半导体单元的内部构成三电平逆变器电路。
搜索关键词: 半导体 装置
【主权项】:
1.一种半导体装置,其特征在于,具备多个半导体单元和将多个所述半导体单元在电气上并联的连接单元,/n所述半导体单元具有:/n层叠基板,其具有绝缘板和在所述绝缘板的主表面配置的电路板;/n多个半导体元件,其背面固定于所述电路板,并在正面具有主电极;/n布线部件,其与所述半导体元件的所述主电极电连接,/n其中,通过所述层叠基板、所述半导体元件和所述布线部件,在所述半导体单元的内部构成三电平逆变器电路,/n多个所述半导体单元大致排列配置在同一平面,/n所述连接单元覆盖排列配置的多个所述半导体单元,并且在上表面具有多个三电平逆变器电路的外部端子,/n多个所述半导体单元的各三电平逆变器电路的端子与对应的所述连接单元的三电平逆变器电路的外部端子并联连接。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于富士电机株式会社,未经富士电机株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510873959.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top