[发明专利]单晶硅生长炉真空支持系统在审
| 申请号： | 201510875224.1 | 申请日： | 2015-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN105442036A | 公开（公告）日： | 2016-03-30 |
| 发明（设计）人： | 刘海;贺贤汉;郡司拓;黄保强 | 申请（专利权）人： | 上海汉虹精密机械有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00;C30B29/06 |
| 代理公司： | 上海顺华专利代理有限责任公司 31203 | 代理人： | 陈淑章 |
| 地址： | 200444 上海市宝*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种单晶硅生长炉真空支持系统，包括：主炉腔、主真空泵、辅真空泵、主阀、辅阀、隔离阀和上炉腔，其中：主炉腔由主阀与主真空泵相连，由隔离阀与上炉腔相连，上炉腔由辅阀与辅真空泵相连。本发明在主真空支持存在故障时，可使用辅真空支持，安全性更高。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶硅 生长 真空 支持系统 | ||
【主权项】：
一种单晶硅生长炉真空支持系统，其特征在于，包括：主炉腔、主真空泵、辅真空泵、主阀、辅阀、隔离阀和上炉腔，其中：主炉腔由主阀与主真空泵相连，由隔离阀与上炉腔相连，上炉腔由辅阀与辅真空泵相连。
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