[发明专利]半导体装置有效

专利信息
申请号: 201510876267.1 申请日: 2015-12-03
公开(公告)号: CN105679728B 公开(公告)日: 2019-08-13
发明(设计)人: 御田村和宏;板东晃司;佐藤幸弘;金泽孝光 申请(专利权)人: 瑞萨电子株式会社
主分类号: H01L23/48 分类号: H01L23/48;H01L27/082
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 金春实
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及半导体装置,提高半导体装置的放热特性。例如,半导体装置(PKG1)具有与搭载了成为热源的半导体芯片(CHP1)的芯片搭载部(TAB1)的第2部分(P2)连接的引线(LD1A(P2))以及与搭载了成为热源的半导体芯片(CHP1)的芯片搭载部(TAB1)的第3部分(P3)连接的引线(LD1A(P3))。并且,引线(LD1A(P2))与引线(LD1A(P3))分别具有从密封体(MR)突出的突出部分。由此,能够提高半导体装置(PKG1)的放热特性。
搜索关键词: 半导体 装置
【主权项】:
1.一种半导体装置,其特征在于,具有:第1芯片搭载部,具有第1部分与第2部分;第2芯片搭载部;第3芯片搭载部;第1半导体芯片,搭载于所述第1芯片搭载部的所述第1部分,并且具备第1功率晶体管;第2半导体芯片,搭载于所述第2芯片搭载部,并且具备第2功率晶体管;第3半导体芯片,搭载于所述第1芯片搭载部的所述第2部分,并且具备第3功率晶体管;第4半导体芯片,搭载于所述第3芯片搭载部,并且具备第4功率晶体管;第1引线;第2引线,与所述第1芯片搭载部的所述第2部分一体地形成;第3引线;第4引线,与所述第1芯片搭载部的所述第1部分一体地形成;以及密封体,密封所述第1芯片搭载部至所述第3芯片搭载部、所述第1半导体芯片至所述第4半导体芯片、所述第1引线的一部分、所述第2引线的一部分、所述第3引线的一部分以及所述第4引线的一部分,所述密封体具有上表面、位于与所述上表面相反一侧的下表面、在厚度方向上位于所述上表面与下表面之间的第1侧面以及与所述第1侧面对置的第2侧面,所述第1芯片搭载部至所述第3芯片搭载部沿着所述密封体的所述第1侧面延伸的第1方向分别配置,所述第2芯片搭载部在俯视时配置在所述第1芯片搭载部的所述第1部分与所述第2部分之间,所述第1芯片搭载部的所述第2部分在俯视时配置在所述第2芯片搭载部与所述第3芯片搭载部之间,所述第1引线、所述第2引线、所述第3引线与所述第4引线分别具有从所述密封体的所述第1侧面突出的突出部分,所述第2引线的突出部分包括能够与安装基板连接的部位,所述第1半导体芯片的第1背面电极与所述第3半导体芯片的第3背面电极经由所述第1芯片搭载部而电连接,所述第2半导体芯片的第2背面电极与所述第2芯片搭载部电连接,所述第4半导体芯片的第4背面电极与所述第3芯片搭载部电连接,所述第1半导体芯片的第1表面电极与所述第2芯片搭载部经由第1导电性部件而电连接,所述第2半导体芯片的第2表面电极与所述第1引线经由第2导电性部件而电连接,所述第3半导体芯片的第3表面电极与所述第3芯片搭载部经由第3导电性部件而电连接,所述第4半导体芯片的第4表面电极与所述第3引线经由第4导电性部件而电连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于瑞萨电子株式会社,未经瑞萨电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510876267.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top