[发明专利]一种太阳能选择性吸收膜系及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201510876489.3 申请日: 2015-12-03
公开(公告)号: CN105546857A 公开(公告)日: 2016-05-04
发明(设计)人: 彭寿;杨勇;王芸;徐根保;曹欣;姚婷婷;金克武;李刚;蒋继文;张宽翔 申请(专利权)人: 凯盛光伏材料有限公司;蚌埠玻璃工业设计研究院
主分类号: F24J2/48 分类号: F24J2/48;C23C14/06;C23C14/10;C23C14/35;C23C14/02
代理公司: 安徽省蚌埠博源专利商标事务所 34113 代理人: 杨晋弘
地址: 233010 安徽*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明公开一种太阳能选择性吸收膜系及其制备方法,包括金属基底,所述金属基底的顶面呈凹凸不平的微结构,金属基底的顶面沉积有TiAlN吸收阻隔层,TiAlN吸收阻隔层上沉积有TiNxOy吸收层,TiNxOy吸收层上沉积有SiO2减反层,SiO2减反层上沉积有AlN减反保护层;采用反应离子束技术对金属基底的顶面进行刻蚀形成微结构,增大了金属基底与膜层之间的附着力,使膜层不易脱落,延长膜系的使用寿命;利用磁控溅射沉积各膜层,TiAlN吸收阻隔层能够阻止金属基底和TiNxOy吸收层之间的扩散,增大整个膜系对太阳光的吸收;利用折射率不同的AlN和SiO2组成的双层减反膜系能够提升减反效果;AlN减反保护层具有优良的耐蚀耐磨性能,在高温大气环境下,膜层寿命持久,提高使用寿命。
搜索关键词: 一种 太阳能 选择性 吸收 及其 制备 方法
【主权项】:
一种太阳能选择性吸收膜系,包括金属基底,其特征在于,所述金属基底的顶面呈凹凸不平的微结构,金属基底的顶面沉积有TiAlN吸收阻隔层,TiAlN吸收阻隔层上沉积有TiNxOy吸收层,TiNxOy吸收层上沉积有SiO2减反层,SiO2减反层上沉积有AlN减反保护层。
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