[发明专利]一种六硼化镧准一维纳米结构阵列材料的制备方法有效
| 申请号： | 201510878324.X | 申请日： | 2015-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN105502428B | 公开（公告）日： | 2016-11-30 |
| 发明（设计）人： | 肖立华;唐东升 | 申请（专利权）人： | 湖南师范大学 |
| 主分类号： | C01B35/04 | 分类号： | C01B35/04;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 长沙星耀专利事务所 43205 | 代理人： | 陈亚琴;宁星耀 |
| 地址： | 410081 湖南省长沙*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 一种六硼化镧准一维纳米结构阵列材料的制备方法，包括如下步骤：（1）将硼源置于管式电炉上气流方向的温区1，镧源置于下气流方向的温区2，硅衬底置于温区2镧源的下气流方向，重复洗气；（2）通入保护性气氛，将温区1和温区2分别升温至500～600℃和800～900℃，保温5～10min后，将温区1和温区2分别升温至900～1100℃和900～1100℃，保温20～120min，自然冷却，得六硼化镧准一维纳米结构阵列材料。本发明方法首次实现六硼化镧准一维纳米结构阵列大规模直接可控生长，其长径比大，单分散性好，可广泛应用于电学领域；固态硼源无腐蚀性、无毒、易运输；本发明方法简单、成本低，便于工业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 六硼化镧准一维 纳米 结构 阵列 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种六硼化镧准一维纳米结构阵列材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：（1）将硼源置于管式电炉石英管上气流方向的温区1，镧源置于管式炉石英管下气流方向的温区2，硅衬底置于温区2镧源的下气流方向，然后把石英管抽真空，再充满保护性气氛，重复洗气≥2次后，抽真空；所述硼源为硼氢化钾、硼氢化钠或硼氢化锂中的一种或几种；（2）向石英管通入保护性气氛，先以速率20～30℃/min，将温区1和温区2分别升温至500～600℃和800～900℃，待温区1和温区2温度稳定后，保温5～10min，然后再以速率20～30℃/min，将温区1和温区2分别升温至900～1100℃和900～1100℃，待温区1和温区2温度稳定后，保温20～120min，在保护性气氛下，自然冷却至室温，得六硼化镧准一维纳米结构阵列材料。
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