[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201510881025.1 | 申请日： | 2015-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN105702733B | 公开（公告）日： | 2018-07-27 |
| 发明（设计）人： | 佐佐木俊成 | 申请（专利权）人： | 株式会社日本显示器 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/34 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 高迪 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的在于提供能够提高导通电流的半导体装置。半导体装置包含：栅极电极，在图案端部具有第一侧壁；栅极绝缘层，被配置在栅极电极的上表面以及第一侧壁；氧化物半导体层，与所述第一侧壁对置地配置；第一绝缘层，被配置在氧化物半导体层上；第一电极，与氧化物半导体层的第一部分连接；以及第二电极，与氧化物半导体层的第二部分连接；栅极绝缘层被配置在第一侧壁与氧化物半导体层之间，氧化物半导体层被配置在栅极绝缘层与第一绝缘层之间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，具有：栅极电极，在图案端部具有第一侧壁；栅极绝缘层，被配置于所述栅极电极的上表面及所述第一侧壁；氧化物半导体层，与所述第一侧壁对置地配置；第一绝缘层，被配置在所述氧化物半导体层上；第一电极，与所述氧化物半导体层的第一部分连接；以及第二电极，与所述氧化物半导体层的第二部分连接；所述栅极绝缘层被配置在所述第一侧壁与所述氧化物半导体层之间，所述氧化物半导体层被配置在所述栅极绝缘层与所述第一绝缘层之间，所述第一绝缘层与所述氧化物半导体层相接地配置，所述氧化物半导体层经由被设置于所述栅极绝缘层的第一开口部与所述第一电极连接，所述第二电极经由被设置于所述第一绝缘层的第二开口部与所述氧化物半导体层连接。
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