[发明专利]一种提升通孔层工艺窗口的方法

摘要

本发明公开了一种提升通孔层工艺窗口的方法，先在通孔层版图上查找图形密度低的区域，在不影响实际电路设计的空白区域添加冗余通孔图形，然后进行通孔上层金属层图形的光刻、刻蚀，把上层金属层图形传递到硬掩膜层，以及进行通孔图形的光刻、刻蚀，把通孔图形传递到介质层，并利用硬掩膜层阻挡冗余通孔图形向介质层传递，最后通过一次性刻蚀将通孔图形和金属层图形传递到硅片上；本发明通过在通孔图形的低密度区域添加冗余通孔图形，从而增强了通孔图形的解析能力，提升了通孔图形的工艺窗口，并且添加的冗余图形不会对实际的电路造成影响。

主权项

1.一种提升通孔层工艺窗口的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一：在通孔层版图上查找图形密度低的区域，在不影响实际电路设计的空白区域添加冗余通孔图形；其中，所述图形密度低的区域含有孤立的通孔图形，将所述冗余通孔图形添加在通孔图形附近的上层金属层图形两侧的空白区域；步骤二：提供一衬底硅片，所述硅片上依次形成有介质层和硬掩模层，在硅片上进行通孔上层金属层图形的光刻工艺，并通过刻蚀把上层金属层图形传递到硬掩膜层；步骤三：根据步骤一得到的通孔层版图，在硅片上进行通孔图形的光刻工艺，并通过刻蚀把通孔图形传递到介质层；其中，利用硬掩膜层阻挡冗余通孔图形向介质层传递；步骤四：通过刻蚀工艺，将通孔图形和金属层图形一次性传递到硅片上。