[发明专利]基于自选择腐蚀的水平全限制相变存储器的制备方法在审
| 申请号： | 201510881785.2 | 申请日： | 2015-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN105489756A | 公开（公告）日： | 2016-04-13 |
| 发明（设计）人： | 付英春;周亚玲;王晓峰;杨富华;马刘红;杨香;王晓东 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提出的一种基于自选择腐蚀的水平全限制相变存储器的制备方法，解决了GST填充困难和对化学机械抛光(CMP)工艺的依赖的难题。处于晶态和非晶态下的GeSbTe合金在碱性溶液中的腐蚀速率差异超过一个数量级，通过加热电极对GeSbTe合金施加电脉冲能够且仅能够将位于水平对置电极缝隙内的GeSbTe合金材料设置为非晶态。这样通过在碱性溶液中腐蚀适当时间，可以把GeSbTe合金自对准地填充到水平电极缝隙内。工艺简单易行，对要要制备的局限性相变节点没有体积上的限制。本发明对于快速实现小单元功耗、大器件工作可靠性、与现有的CMOS工艺兼容，具有非常好的产业化应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 选择 腐蚀 水平 限制 相变 存储器 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种基于自选择腐蚀的水平全限制相变存储器的制备方法，该方法包括：步骤1：在衬底(101)上，淀积第一电热绝缘材料层(201)；步骤2：在第一电热绝缘材料层(201)上，采用“光刻‑薄膜淀积‑剥离”的方法制备水平对置电极层(301)和水平对置电极缝隙(3011)；步骤3：在第一电热绝缘材料层(201)和水平对置电极层(301)上以及水平对置电极缝隙(3011)内，采用“光刻‑薄膜淀积‑剥离”的方法制备相变材料层(401)；步骤4：在第一电热绝缘层(201)、水平对置电极层(301)和相变材料层(401)的暴露的上表面，采用“光刻‑薄膜淀积‑剥离”的方法制备第二电热绝缘材料层(202)，钝化相变材料层(401)并暴露出水平对置电极层(301)的电极接触端(3012)；步骤5：退火并通过电极接触端(3012)对相变材料层(401)施加电脉冲，非晶化位于水平对置电极缝隙(3011)内的相变材料层(401)，并依次湿法腐蚀去除第二电热绝缘材料层(202)，碱性溶液湿法腐蚀仅保留位于水平对置电极缝隙(3011)内的相变材料节点层(4011)；步骤6：在第一电热绝缘材料层(201)、水平对置电极层(301)和相变材料节点层(4011)暴露的表面上，采用“光刻‑薄膜淀积‑剥离”的方法制备第三电热材料层(203)钝化器件，完成器件制备，其中相变材料层(401)和相变材料节点层(4011)的材料是GeSbTe系列合金。
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