[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201510882545.4 | 申请日： | 2015-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN105679813A | 公开（公告）日： | 2016-06-15 |
| 发明（设计）人： | 岩崎真也;龟山悟 | 申请（专利权）人： | 丰田自动车株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/40;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京金信知识产权代理有限公司 11225 | 代理人： | 苏萌萌;范文萍 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置采用了BPSG膜以作为绝缘膜，并且不易产生电极剥离。所提供的半导体装置具有导电层、第一绝缘膜、阻挡金属、接触电极以及表面电极。第一绝缘膜被配置在导电层上，并且表层部为BPSG膜，并具有接触孔。阻挡金属和接触电极被配置在接触孔内。表面电极被配置在BPSG膜和接触电极上。在BPSG膜与表面电极之间不存在阻挡金属，从而表面电极与BPSG膜直接接触。在表面电极中形成有接合衬垫。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，具有：导电层，其具有导电性；第一绝缘膜，其被配置在所述导电层上，并且至少表层部为硼磷硅玻璃膜，并具有到达所述导电层的接触孔；阻挡金属，其覆盖所述接触孔的内表面；接触电极，其在所述接触孔内被配置于所述阻挡金属上；表面电极，其被配置在所述硼磷硅玻璃膜和所述接触电极上，在所述硼磷硅玻璃膜与所述表面电极之间不存在所述阻挡金属，从而所述表面电极与所述硼磷硅玻璃膜直接接触，在所述表面电极中形成有接合衬垫。
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