[发明专利]功率金属氧化物半导体场效应晶体管在审
| 申请号： | 201510883963.5 | 申请日： | 2015-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN105514152A | 公开（公告）日： | 2016-04-20 |
| 发明（设计）人： | 万欣;周伟松;刘道广;许军;薄涵亮;梁仁荣;王敬 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/51;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 李志东 |
| 地址： | 100084 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了功率金属氧化物半导体场效应晶体管，该功率MOSFET包括：衬底、外延区、阱区、源区、沟道区、栅介质、栅、隔离介质及源极金属，其中，沟道区的掺杂量不低于2e18/cm3。该功率MOSFET可以有效提高器件的抗单粒子烧毁能力，且器件的导通电阻几乎不会增加，最大限度的保持了器件的电性能。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 金属 氧化物 半导体 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
一种功率金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于，包括：衬底、外延区、阱区、源区、沟道区、栅介质、栅、隔离介质及源极金属，其中，沟道区的掺杂量不低于2e18/cm3。
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