[发明专利]用于热电IR检测器的基于MEMS的晶片级封装体

摘要

本发明描述了一种器件以及用于制造该器件的技术，以便使用微机电系统(MEMS)工艺来形成晶片级热传感器封装体。在一个或多个实施方式中，晶片级热传感器封装体包括热电堆叠置体和帽式晶片组件，热电堆叠置体包括衬底、电介质膜、第一热电层、第一层间电介质、第二热电层、第二层间电介质、金属连接组件、钝化层、以及接合焊盘，其中，钝化层包括沟槽或孔的至少其中之一，并且其中，衬底包括邻近至少一个沟槽或孔的腔室，接合焊盘设置在钝化层上并电气耦合到金属连接组件；帽式晶片组件耦合到热电堆叠置体，帽式晶片组件包括具有腔室的晶片，所述腔室形成在晶片的一侧上的腔室并被配置为邻近热电堆叠置体。

主权项

一种晶片级热传感器封装体，包括：热电堆叠置体，所述热电堆叠置体包括：衬底；电介质膜，所述电介质膜形成在所述衬底的第一侧上；第一热电层，所述第一热电层形成在所述电介质膜上；第一层间电介质，所述第一层间电介质形成在所述第一热电层和所述电介质膜上；第二热电层，所述第二热电层形成在所述第一层间电介质上；第二层间电介质，所述第二层间电介质形成在所述第二热电层和所述第一层间电介质上；金属连接组件，所述金属连接组件与所述第一热电层和所述第二热电层电耦合；钝化层，所述钝化层设置在所述金属连接组件和所述第二层间电介质上，其中，所述钝化层包括沟槽或孔的至少其中之一，并且其中，所述衬底包括邻近所述至少一个沟槽或孔的腔室；以及接合焊盘，所述接合焊盘设置在所述钝化层上并电耦合到所述金属连接组件；以及帽式晶片组件，所述帽式晶片组件耦合到所述热电堆叠置体，所述帽式晶片组件包括具有腔室的晶片，所述腔室形成于所述晶片的一侧上并被配置为邻近所述热电堆叠置体。