[发明专利]一种二硫化钼/半导体异质结光电探测器及其制造方法在审
| 申请号： | 201510886867.6 | 申请日： | 2015-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN105470320A | 公开（公告）日： | 2016-04-06 |
| 发明（设计）人： | 徐志娟;林时胜;李晓强 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L31/0296 | 分类号： | H01L31/0296;H01L31/18;H01L31/0224 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 韩介梅 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种二硫化钼/半导体异质结光电探测器该二硫化钼/半导体异质结光电探测器自下而上依次有背电极层、半导体衬底层、二硫化钼层,在二硫化钼层上设有彼此分隔的两块表面电极，在两块表面电极之间的二硫化钼层上还具有量子点层。其制造步骤包括：先在半导体衬底背面制作背面电极层，然后将二硫化钼转移至半导体衬底层上，之后在二硫化钼层上制作表面电极，并在二硫化钼层上制作量子点层。本发明的二硫化钼/半导体异质结光电探测器通过增设量子点层辅助增强器件的光吸收，获得的光电探测器光响应灵敏，探测能力高，能够自驱动，应用领域广泛。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 二硫化钼 半导体 异质结 光电 探测器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种二硫化钼/半导体异质结光电探测器，其特征在于自下而上依次有背电极层（1）、半导体衬底层（2）、二硫化钼层（3）,在二硫化钼层上设有彼此分隔的两块表面电极（4），在两块表面电极（4）之间的二硫化钼层上还具有量子点层（5）。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
