[发明专利]一种IBC电池制造方法在审
| 申请号： | 201510887048.3 | 申请日： | 2015-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN105514184A | 公开（公告）日： | 2016-04-20 |
| 发明（设计）人： | 雷刚;石梦奇;曹佳晔;范襄;池卫英 | 申请（专利权）人： | 上海空间电源研究所 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/18 |
| 代理公司： | 上海航天局专利中心 31107 | 代理人： | 金家山 |
| 地址： | 200245 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开一种IBC电池制造方法，在该制造方法中，采用碱腐蚀的方法在硅片的正面（即受光面）制作绒面陷光结构；采用离子注入的方法在硅片的背面制备出发射极和背场，离子束通过扫描的方式在硅片的特定区域有选择地进行掺杂，最终形成指状结构的发射极和背场；采用PECVD的方法在硅片的正面和背面淀积钝化层或减反射膜；采用丝网印刷的方法在硅片的背面制备电极。由于本发明采用离子注入的方法在硅片的背面直接制备出发射极和背场所需的图形，无需采用光刻技术或其他精确图形化技术，因此生产工序简单，生产成本较低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 ibc 电池 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种IBC电池制造方法，其特征在于，包括以下步骤：1）采用碱腐蚀的方法在硅片的正面，即受光面制作绒面陷光结构；2）采用离子注入的方法在硅片的背面制备出发射极和背场，离子束通过扫描的方式在硅片的特定区域有选择地进行掺杂，最终形成指状结构的发射极和背场；3）采用PECVD的方法在硅片的正面和背面淀积钝化层或减反射膜；4）采用丝网印刷的方法在硅片的背面制备电极。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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